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共建微显示LED技术联合研发中心,华灿联手国创中心
微显示| 芯片| 华灿光电 文章来源自:高工LED网
2022-06-29 09:20:30 阅读:8533
摘要国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届技术专家委员会成功召开。

  6月25日,国家第三代半导体技术创新中心(以下简称“国创中心”)发展战略研讨会暨第一届技术专家委员会成功召开。中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心主任郝跃,中国科学院院士江风益,中国工程院院士欧阳晓平,中国科学院院士杨德仁等数十名国内第三代半导体领域顶尖技术和产业专家出席会议。华灿光电与国创中心共建的微显示LED技术联合研发中心在会议上授牌,华灿光电首席技术官王江波博士入选第一届技术专家委员。

  围绕产业链需求,面向关键技术攻关方向,会上新启动共建了8家联合研发中心,包括微显示LED技术联合研发中心、氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心、宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心、碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心、超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心。

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  图片(左三:华灿光电与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心)

  同时,国创中心第一届技术专家委员会正式成立,由来自第三代半导体领域学术界、产业界的六十余位顶尖专家组成。

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  图片(右四:华灿光电首席技术官王江波博士入选第一届技术专家委员)

  华灿光电自成立以来坚持自主研发和技术创新,目前公司已成立珠海华发华灿先进半导体研究院、浙江省第三代半导体重点实验室、博士后工作站、企业研究院等研发机构。

  过去的几年里,华灿光电持续投入积极发Micro LED芯片制程及相关转移技术、紫外LED、化合物半导体功率器件等下一代技术和新产品,为未来市场提前做充分、成熟的技术储备。

  Mini/Micro LED方面,华灿光电产品研发迭代与市场开拓相辅相成,2021年已有多款搭载华灿Mini LED背光产品的消费电子新品推向市场,合作伙伴涵盖行业内大多数龙头企业,公开披露的包括台湾群创、京东方等知名企业。Mini RGB直显芯片产品持续优化工艺提升终端显示效果,已应用于主流MiniLED终端厂商的多个重点项目中,已全面导入海外客户供应体系。

  MicroLED产品华灿已与国内外知名消费类和科技类头部企业达成芯片代工业务合作。中小尺寸产品与战略客户合作取得关键进展,良率稳步提升,满足客户系统验证要求;大尺寸圆片波长均匀性显著得到提高,华灿巨量转移技术与设备厂商以及下游战略客户联合开发,进展顺利。

  此次与国创中心共建微显示LED技术联合研发中心,将充分发挥华灿光电在第三代半导体技术领域多年的技术积累与创新优势,依托国创中心国家级战略科技力量和创新平台,构建研发资源整合,重点聚焦第三代半导体材料与器件领域新技术的突破,加速公司技术创新发展。

  2022年7月7日—8日(周四—周五),由高工LED、高工产研(GGII)主办,盟拓智能总冠名的主题为“技术百花齐放应用争奇斗艳”的2022高工新型显示产业高峰论坛暨显示产业TOP50颁奖典礼,将在深圳机场凯悦酒店隆重举行。

  本次高峰论坛将聚焦小间距LED、Mini直显、Mini背光和Micro LED等热点领域,邀请芯片、封装模组、设备材料、电源IC、面板厂、电视厂商等头部企业高层分享。

  华灿光电作为本届高峰论坛的开幕式专场冠名赞助商也将出席论坛并发表主题演讲。


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