快讯

华灿光电:Mini LED芯片研发取得新进展

2018-06-12 10:03 来源:高工LED 关注度:16086次 字体:   原创申明 投稿
关键词:
分享到:

扫一扫,分享给微信好友

关注高工LED官方微信公众号

近日,华灿光电在互动平台上简要谈到其在Mini LED芯片方面取得的一些进展。

  近日,华灿光电在互动平台上简要谈到其在Mini LED芯片方面取得的一些进展。

  华灿光电表示,在Mini RGB方面,华灿光电采用的是结构更加稳定的DBR+ITO结构的倒装芯片,并且在芯片台阶以及侧壁做了绝缘层的优化,进一步的提高了芯片的可靠性。另外还特别针对Mini红光LED芯片的衬底转移技术进行了优化,提升整体良率的同时提升了可靠性。

  华灿光电表示,Mini RGB芯片目前已经实现量产,并且已经成为国内外几个主要下游玩家的供应商。在Mini BLU方面,为了实现超薄背光模组的均匀混光,华灿光电同国内外下游以及终端厂家配合开发容易实现均匀混光的LED芯片。目前,华灿光电的Mini BLU常规芯片可以实现量产,并且已经切入几个重要下游客户的供应链。

  华灿光电还就当前几种转移技术的发展情况做了如下讨论:

  根据现在市场上比较常规的定义,Mini LED是指用于显示应用的芯片尺寸在80-300um之间的基于倒装结构LED芯片。

  Mini LED在显示上主要有两种应用,一种是作为自发光LED显示(下称Mini RGB),由于封装形式上不需要打金线,相比于正装小间距LED,即使在同样的芯片尺寸上Mini LED也可以做更小的显示点间距。另外一种是在背光上的应用(下称Mini BLU)。相比于传统的背光LED模组,Mini LED背光模组将采用更加密集的芯片排布来减少混光距离,做到超薄的光源模组。

  Mini LED无论在哪种应用中,都涉及到对大量LED芯片的转移。目前针对Micro LED开发的巨量转移技术,包括Luxvue 采用静电力,ITRI采用的电磁力,X-celeprint 采用的范德华力,原则上都能用于Mini LED芯片的转移。但是目前这些转移技术都需要对包括转移头,转移设备做特殊的设计制作,技术上也并没有完全成熟和公开,制作成本相对较高。

  Mini LED相比于Micro LED,首先有相对较大的芯片尺寸, 而且带有更加硬质的衬底。因此Mini LED的转移有更高的精度容忍度,并且芯片由于带有衬底对芯片的拾取操作上有更多的灵活性。基于Mini LED的这些特点,各家也都有在开发Mini LED相关的转移技术。目前比较容易达成量产的几个技术分别如图。

  第一个是从现有的pick and place设备上做改进,设置多个的pick up heads来增加拾取和放置的效率。这种方案技术难度不是特别大,容易实现量产,但是产能上只能做到倍数上的成长,无法实现数量级上的增加。

  第二种方案是把放置有芯片的临时性基板和最终的背板相对放置,利用顶针直接把芯片顶出蓝膜放置到最终基板上。相比于第一种的pick and place方案,这种方案减免了摆臂的来回运行,提高了转移效率。如果芯片在蓝膜上放置位置同最终背板的控制电极位置一致,配合上多顶针的方式,能够实现巨量转移技术,从数量级上提升转移效率。

  第三种方案同第二种方案类似,芯片放置于UV膜上并且芯片位置同背板的控制电极位置相对放置,然后通过UV光把LED芯片选择性的或者整面的转移到最终背板上面。这种方案基本上能实现真正的巨量转移技术,但是对芯片分选到UV膜上时的摆放精度有一定的需求。

加关注 高工LED网(粉丝1.1万)
【免责声明】本文仅代表作者本人观点,与高工LED网无关。高工LED网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含 内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。 凡本网注明“来源:高工LED”的所有作品,版权均属于高工LED,转载请注明 来源:http://news.gg-led.com/asdisp2-65b095fb-64499-.html 违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。 本网转载自其它媒体的信息,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网 赞同其观点和对其真实性负责。