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科锐与Nexperia签署GaN功率器件专利授权协议

2018-04-17 09:48 来源:高工LED 关注度:14979次 字体:   原创申明 投稿
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科锐(NASDAQ: CREE)宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。

  科锐(NASDAQ: CREE)宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升,以及封装技术。这一专利授权不包括技术转让。

  科锐联合创始人兼Wolfspeed首席技术官John Palmour表示:“科锐创立以来,对包括GaN氮化镓和SiC碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深入研究,并利用它们的独特性能开发出新型器件。基于科锐数十年创新成果的器件,帮助实现新型电源管理和无线系统的市场导入。为了加速这类新市场的增长,科锐正在对用于GaN氮化镓电源管理系统的GaN氮化镓功率器件专利开展授权。”

关于CREE

  Cree成立于1987年,是美国上市公司(1993年,纳斯达克:CREE),为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的着名制造商和行业领先者。

  Cree的产品系列包括SiC材料,电源开关设备和射频设备,目标是电动汽车,快速充电,逆变器,电源供应,电信和mil/aero。Cree的LED产品系列包括蓝色和绿色LED芯片、高亮度LED和照明级LED灯,目标是室内和室外照明、视频显示器、交通和电子信号和信号。Cree的LED照明系统和灯具服务于室内和室外应用。


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